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ZK-3C三相可控矽調壓觸發器的觸發條件是什麼╃◕•✘•?

時間╃·₪:2022-09-21 瀏覽次數╃·₪:123

  ZK-3C三相可控矽調壓觸發器採用移相觸發控制方式✘↟·↟☁,輸出電壓☁╃•▩↟、電流或功率連續可調✘↟·↟☁,具有恆電壓☁╃•▩↟、恆電流或恆功率的特性↟│₪│◕。三相閘流體閉環技術觸發板的控制原理為一個典型的雙閉環控制✘↟·↟☁,電流環為內環✘↟·↟☁,電壓環為外環↟│₪│◕。
 
  ZK-3C三相可控矽調壓觸發器可控矽的觸發主要取決於溫度☁╃•▩↟、供電電壓☁╃•▩↟、柵極電流等不同的變數↟│₪│◕。當向可控矽施加電壓時✘↟·↟☁,如果陽極可以與陰極相關+ve✘↟·↟☁,則可控矽變成轉發偏向↟│₪│◕。因此該閘流體進入正向阻斷狀態↟│₪│◕。
 
  在可控矽觸發中✘↟·↟☁,包括柵極驅動要求(如果使用柵極觸發)☁╃•▩↟、觸發時間(需要保持所施加的觸發激勵時間以使電路鎖存)等各個方面都很重要✘↟·↟☁,各種引數的重要性取決於所使用的可控矽觸發形式↟│₪│◕。
 
  對於要使用的柵極可控矽觸發✘↟·↟☁,可控矽要在其擊穿電壓以下執行✘↟·↟☁,並且還允許適當的安全裕度以適應可能發生的任何瞬變✘↟·↟☁,否則可能會發生正向電壓或擊穿觸發↟│₪│◕。
 
  開啟可控矽✘↟·↟☁,柵極和陰極之間的正柵極電壓✘↟·↟☁,會產生柵極電流✘↟·↟☁,其中電荷被注入器件的內部p層✘↟·↟☁,這有效地降低了發生正向擊穿的電壓↟│₪│◕。可以看出✘↟·↟☁,柵極電流決定了可控矽切換到其導通狀態的正向電壓↟│₪│◕。柵極電流越高✘↟·↟☁,正向擊穿電壓越低↟│₪│◕。
 
  低電流高靈敏度可控矽在非常低的電流水平下觸發✘↟·↟☁,因此需要外部柵極-陰極電阻來防止柵極區域中熱產生的洩漏電流觸發↟│₪│◕。然而✘↟·↟☁,柵極陰極電阻繞過了由陽極電壓(dv/dt)的快速變化率引起的一些內部陽極電流↟│₪│◕。
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